清大領先全球找出MRAM 擴充技術/利用電子自旋流操控磁性翻轉手機待機時間將可延長1倍- 生活 - 自由時報電子報

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  • 2019-03-15 10:15:04 5 天前
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清華大學工學院長賴志煌結合物理系教授林秀豪等組成跨領域團體,研發出夢幻新一代的磁性記憶體MRAM核心技術,透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉,不僅有助擴大記憶體容量,且就算斷電,資料也不會消失,未來採用磁性記憶體的手機、平板,待機時間甚至可延長至少一倍。相關研究已登上國際期刊「自然材料」。目前半導體業使用的動態隨機存取記憶體DRAM不僅耗電,且體積縮小逐漸達到極限,國際大廠三星、英特爾、台積電近年紛紛投入磁阻式隨機存取記憶體MRAM的開發,業界預估今年即將有高密度的MRAM量產,清華團隊更找到最新…
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